Дефекты структуры в кремнии, имплантированном водородом

Мудрый, А. В.; Патук, А. И.; Шакин, И. А.; Ларионова, Т. П.; Емцев, В. В.; Давыдов, В. Ю.; Оганесян, Г.; Ульяшин, А. Г.; Джоб, Р.; Фарнер, В. Р.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/205820

Title:	Дефекты структуры в кремнии, имплантированном водородом
Other Titles:	The structural defects in silicon implanted by hydrogen / A.V.Mudryi, A.LPatuk, I.A.Shakin, T.P.Larionova, V.V.Emtsev, V.Yu.Davydov, G.Oganesyan, A.G.UIyashin, R.Job, W.R.Fahrne
Authors:	Мудрый, А. В. Патук, А. И. Шакин, И. А. Ларионова, Т. П. Емцев, В. В. Давыдов, В. Ю. Оганесян, Г. Ульяшин, А. Г. Джоб, Р. Фарнер, В. Р.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2001
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 189-191.
Abstract:	С использованием низкотемпературной (4.2 К) фотолюминесценции проведена идентификация дефектов в кремнии, имплантированном водородом. Установлено, что внедренные атомы водорода входят в состав основных оптически активных центров. В интервале температур 25-1100 °С определена термическая стабильность дефектов.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/205820
ISBN:	985-445-236-0
Appears in Collections:	2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
189-191.pdf		721,05 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar