Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/205820
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМудрый, А. В.
dc.contributor.authorПатук, А. И.
dc.contributor.authorШакин, И. А.
dc.contributor.authorЛарионова, Т. П.
dc.contributor.authorЕмцев, В. В.
dc.contributor.authorДавыдов, В. Ю.
dc.contributor.authorОганесян, Г.
dc.contributor.authorУльяшин, А. Г.
dc.contributor.authorДжоб, Р.
dc.contributor.authorФарнер, В. Р.
dc.date.accessioned2018-09-10T10:59:16Z-
dc.date.available2018-09-10T10:59:16Z-
dc.date.issued2001
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 189-191.
dc.identifier.isbn985-445-236-0
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/205820-
dc.description.abstractС использованием низкотемпературной (4.2 К) фотолюминесценции проведена идентификация дефектов в кремнии, имплантированном водородом. Установлено, что внедренные атомы водорода входят в состав основных оптически активных центров. В интервале температур 25-1100 °С определена термическая стабильность дефектов.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleДефекты структуры в кремнии, имплантированном водородом
dc.title.alternativeThe structural defects in silicon implanted by hydrogen / A.V.Mudryi, A.LPatuk, I.A.Shakin, T.P.Larionova, V.V.Emtsev, V.Yu.Davydov, G.Oganesyan, A.G.UIyashin, R.Job, W.R.Fahrne
dc.typeconference paper
Располагается в коллекциях:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
189-191.pdf721,05 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.