Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/205820| Заглавие документа: | Дефекты структуры в кремнии, имплантированном водородом |
| Другое заглавие: | The structural defects in silicon implanted by hydrogen / A.V.Mudryi, A.LPatuk, I.A.Shakin, T.P.Larionova, V.V.Emtsev, V.Yu.Davydov, G.Oganesyan, A.G.UIyashin, R.Job, W.R.Fahrne |
| Авторы: | Мудрый, А. В. Патук, А. И. Шакин, И. А. Ларионова, Т. П. Емцев, В. В. Давыдов, В. Ю. Оганесян, Г. Ульяшин, А. Г. Джоб, Р. Фарнер, В. Р. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2001 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 189-191. |
| Аннотация: | С использованием низкотемпературной (4.2 К) фотолюминесценции проведена идентификация дефектов в кремнии, имплантированном водородом. Установлено, что внедренные атомы водорода входят в состав основных оптически активных центров. В интервале температур 25-1100 °С определена термическая стабильность дефектов. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/205820 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 189-191.pdf | 721,05 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.