Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/205791| Title: | Локализация имплантируемых примесей в кремнии |
| Other Titles: | Localization of implanted impurities in silicon / A.R.Cheiyadinskil, M.Jadan |
| Authors: | Челядинский, А. Р. Джадан, М. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2001 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 214-216. |
| Abstract: | Рентгенодифракционным и электрофизическим методами исследована локализация по узлам и междоузлиям в кремнии внедряемых примесей бора в зависимости от плотности тока имплантации. С ростом плотности тока имплантации доля примеси в узлах решетки растет, что связано с увеличением мгновенной концентрации вакансий и подавлением эффекта вытеснения примесей из узлов междоузельными атомами кремния. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/205791 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Appears in Collections: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 214-216.pdf | 718,54 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.