Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/205791Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Челядинский, А. Р. | |
| dc.contributor.author | Джадан, М. | |
| dc.date.accessioned | 2018-09-10T10:59:10Z | - |
| dc.date.available | 2018-09-10T10:59:10Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 214-216. | |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/205791 | - |
| dc.description.abstract | Рентгенодифракционным и электрофизическим методами исследована локализация по узлам и междоузлиям в кремнии внедряемых примесей бора в зависимости от плотности тока имплантации. С ростом плотности тока имплантации доля примеси в узлах решетки растет, что связано с увеличением мгновенной концентрации вакансий и подавлением эффекта вытеснения примесей из узлов междоузельными атомами кремния. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Локализация имплантируемых примесей в кремнии | |
| dc.title.alternative | Localization of implanted impurities in silicon / A.R.Cheiyadinskil, M.Jadan | |
| dc.type | conference paper | |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 214-216.pdf | 718,54 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.