Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/205791
Title: Локализация имплантируемых примесей в кремнии
Other Titles: Localization of implanted impurities in silicon / A.R.Cheiyadinskil, M.Jadan
Authors: Челядинский, А. Р.
Джадан, М.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2001
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 214-216.
Abstract: Рентгенодифракционным и электрофизическим методами исследована локализация по узлам и междоузлиям в кремнии внедряемых примесей бора в зависимости от плотности тока имплантации. С ростом плотности тока имплантации доля примеси в узлах решетки растет, что связано с увеличением мгновенной концентрации вакансий и подавлением эффекта вытеснения примесей из узлов междоузельными атомами кремния.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/205791
ISBN: 985-445-236-0
Appears in Collections:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
214-216.pdf718,54 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.