Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/205791
Заглавие документа: | Локализация имплантируемых примесей в кремнии |
Другое заглавие: | Localization of implanted impurities in silicon / A.R.Cheiyadinskil, M.Jadan |
Авторы: | Челядинский, А. Р. Джадан, М. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2001 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 214-216. |
Аннотация: | Рентгенодифракционным и электрофизическим методами исследована локализация по узлам и междоузлиям в кремнии внедряемых примесей бора в зависимости от плотности тока имплантации. С ростом плотности тока имплантации доля примеси в узлах решетки растет, что связано с увеличением мгновенной концентрации вакансий и подавлением эффекта вытеснения примесей из узлов междоузельными атомами кремния. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/205791 |
ISBN: | 985-445-236-0 |
Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
214-216.pdf | 718,54 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.