Новый нанопористый материал на основе аморфного диоксида кремния

Abstract

Исследованы процессы создания нанопористых слоев SiO2 на Si путем облучения термически оксидированных подложек кремния быстрыми ионами с последующей химической обработкой в растворах или парах фтористоводородной кислоты. Показано, что плотность, форму, диаметр и соот ношение длина/диаметр вытравленных в диоксиде кремния каналов можно контролировать, изме няя режимы облучения быстрыми ионами или химической обработки структур SiO2/Si. Проведено сравнение параметров трекообразования, рассчитанных в рамках модели термического пика, с данными химического травления.