Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204500Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Yakushev, M. V. | - |
| dc.contributor.author | Tomlinson, R. D. | - |
| dc.contributor.author | Hill, А. E. | - |
| dc.contributor.author | Pilkington, R. D. | - |
| dc.contributor.author | Mudryi, A. V. | - |
| dc.contributor.author | Bodnar, I. V. | - |
| dc.contributor.author | Victorov, L. A. | - |
| dc.contributor.author | Gremenok, V. F. | - |
| dc.contributor.author | Shakin, L. A. | - |
| dc.contributor.author | Patuk, A. I. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-28T12:11:55Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-28T12:11:55Z | - |
| dc.date.issued | 1999 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 166-168. | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204500 | - |
| dc.description.abstract | The influence of H+ ion implantation on the photoluminescence (PL) properties of Cu(lnGa)Se2/CdS heterostructures has been studied. This treatment was found to increase the PL intensity of donor-acceptor (DAP) band at 1.13 eV because of the passivation by hydrogen atoms of the non-radiative recombination centers on the boundary of Cu(InGa)Se2 and CdS layers. Two studied. This treatment was found to increase the PL intensity of donor-acceptor (DAP) band at 1.13 eV because of the passivation by hydrogen atoms of the non-radiative recombination centers on the boundary of Cu(InGa)Se2 and CdS layers. Two broad bands peaks at 0.96 eV and at 0.82 eV in PL spectra of ion-implanted Cu(InGa)Se2 films have been found. The tentative model to explain the origin of the broad PL bands has been discussed. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Defects in Cu(lnGa)Se2/CdS heterostructure films induced by hydrogen ion implantation | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 166-168.pdf | 188 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.