Условия аддитивности отклика при воздействии низких ионных доз на полупроводниковые структуры

Abstract

На основе принципа аддитивности накопления дозовых эффектов получены условия принадлежности к классу функций, пригодных для аналитического описания отклика измерительной структуры на воздействие ионных доз менее 1011 см'2. Отклонения от этих условий связаны с проявлением внутренних корреляций. Выделяются методы, различные по природе и характеру таких корреляций, но имеющие общую особенность, состоящую в том, что структуре свойственны два oтклонения от этих условий связаны с проявлением внутренних корреляций. Выделяются методы, различные по природе и характеру таких корреляций, но имеющие общую особенность, состоящую в том, что структуре свойственны два устойчивых аддитивных состояния. Соответственно, в одном из промежуточных состояний вводимый параметр степени неаддитивности имеет наибольшее значение, которое связывается с максимальной неопределенностью механизма внутренних взаимодействий. Для таких методов предложен способ корректировки явного вида аддитивных функций, сохраняющий единственность подгоночного параметра. Результаты работы также могут быть использованы для контролируемого изменения свойств полупроводниковых материалов электронной техники с помощью радиационного облучения различных видов.