Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204300| Title: | Изучение структурных особенностей полупроводниковых кристаллов после их гамма-облучения |
| Other Titles: | Studying structural features of semiconductor crystals after y-radiation action / V.A.Liopo, A.V.Sabutz, N.A.Semikolenova, A.U.Sheleg |
| Authors: | Лиопо, В. А. Сабуть, А. В. Семиколенова, Н. А. Шелег, А. У. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2001 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 170-172 |
| Abstract: | Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности полупроводниковых кристаллов TIGaSe2 и TllnSSe, а также кристаллы GaAs:Te с различной концентрацией дефектов. Установлено, что структурная дефектность кристаллов может быть оценена количественно по распределению отклонений cl(hkl) и l(hkl) (межплоскостных расстояний и интенсивностей рефлнксов соответственно) от их идеальных значений. Методом АСМ установлены основные типы динамических процессов на свежеобразованных кристаллических поверхностях. |
| Abstract (in another language): | The structural features of TIGaSe2, TllnSSe and GaAsTe semiconductor crystals were investigated by x-ray diffractometer method. The crystals have different defect concentrations. It was founded that crystal defects can be estimated by distribution of between experimental and theoretical values of d(hkl) and l(hkl). (interplace distances and x-ray reflexes intensities accordingly). The three types of dynamical processes on juvenile crystal surfaces are studied. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204300 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Appears in Collections: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 170-172.pdf | 722,11 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.