Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204300
Заглавие документа: | Изучение структурных особенностей полупроводниковых кристаллов после их гамма-облучения |
Другое заглавие: | Studying structural features of semiconductor crystals after y-radiation action / V.A.Liopo, A.V.Sabutz, N.A.Semikolenova, A.U.Sheleg |
Авторы: | Лиопо, В. А. Сабуть, А. В. Семиколенова, Н. А. Шелег, А. У. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2001 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 170-172 |
Аннотация: | Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности полупроводниковых кристаллов TIGaSe2 и TllnSSe, а также кристаллы GaAs:Te с различной концентрацией дефектов. Установлено, что структурная дефектность кристаллов может быть оценена количественно по распределению отклонений cl(hkl) и l(hkl) (межплоскостных расстояний и интенсивностей рефлнксов соответственно) от их идеальных значений. Методом АСМ установлены основные типы динамических процессов на свежеобразованных кристаллических поверхностях. |
Аннотация (на другом языке): | The structural features of TIGaSe2, TllnSSe and GaAsTe semiconductor crystals were investigated by x-ray diffractometer method. The crystals have different defect concentrations. It was founded that crystal defects can be estimated by distribution of between experimental and theoretical values of d(hkl) and l(hkl). (interplace distances and x-ray reflexes intensities accordingly). The three types of dynamical processes on juvenile crystal surfaces are studied. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204300 |
ISBN: | 985-445-236-0 |
Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
170-172.pdf | 722,11 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.