Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/204271
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМильчанин, О. В.-
dc.contributor.authorГайдук, П. И.-
dc.date.accessioned2018-08-27T08:40:28Z-
dc.date.available2018-08-27T08:40:28Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 57-59.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/204271-
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleЭволюция дислокаций в кремнии при водородной плазменной обработкеru
dc.title.alternativeEvolution of dislocations in silicon during hydrogen plasma treatment / O. V. Milchanin, P. I. Gaidukru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeStructure changes in semiconductors caused by hydrogen plasma treatment are the subject of great interest due to passivation of defect levels in the gap. On the other hand tine reactions between extended and hydrogen-induced defects in silicon are interested for the development of new defect engineering concepts. In this paper the processes of defects formation and evolution in p‘- and nł-type crystalline silicon during hydrogen plasma treatment are investigated by transmission electron microscopy. Three types of hydrogen-induced defects are observed during hydrogen plasma treatment in both samples. At the same time the great distinctions in structure of pre-existing extended and hydrogen-induced defects were found to take place in p'-Si in comparison with n+-Si. A model is proposed wherein the observed structure changes are discussed as a result of formation, diffusion and decay of the complexes which consist of hydrogen, dopant and point defects.ru
Располагается в коллекциях:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
57-59.pdf601,53 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.