Компьютерное моделирование формирования дефектной структуры твёрдого тела при ионной имплантации

Abstract

В настоящей работе представлены результаты численного моделирования процесса имплантации ускоренных ионов в твёрдое тело. При проведении расчетов учитывалось накопление с ростом дозы облучения радиационных дефектов Френкеля и их взаимная рекомбинация, что приводит к насыщению числа вакансий при увеличении дозы облучения. Кроме того, было показано, что рекомбинация дефектов оказывает значительное влияние на соотношение двух конкурирующих процессов - распыления -и распухания облучаемого образца. Результаты численного моделирования хорошо согласуются с экспериментальными данными по радиационно-индуцированному растворению, распуханию и распылению, полученными при исследовании поверхности имплантированного диоксида кремния с помощью атомно-силового микроскопа.