Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/203755
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКомаров, А. Ф.-
dc.contributor.authorПилько, В. В.-
dc.contributor.authorНикифоренко, Н. Н.-
dc.contributor.authorЕмельянов, В. А.-
dc.contributor.authorКарват, Ч.-
dc.date.accessioned2018-08-21T09:41:17Z-
dc.date.available2018-08-21T09:41:17Z-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 28-30.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/203755-
dc.description.abstractВ данной работе проведено исследование (эксперимент, а также компьютерное моделирование) формирования слоев методом высокодозной имплантации азота в систему Si3N4/C/Si3N4/Si. Параметры легирования N": Е=100 кэВ, доза=1.96x10^® ион/см . Компьютерное моделирование проведено с помощью программы BEAM2HD [1], основанной на методе Монте-Карло, которая позволяет моделировать торможение ионов в аморфных твердых телах. Данная программа представляет возможность моделировать процесс одно- или двухпучковой высокодозной ионной имплантации в многослойные и многокомпонентные мишени. При этом число слоев не превышает трех, а число разных типов атомов в каждом слое не превышает семи. На основании данной программы проведен расчет толщины послойного распыления мишени, профиль распределения имплантированного азота в многослойной структуре, а также предложены оптимальные энергии и дозы имплантации азота для формирования слоя, близкого по стехиометрии к C3N4.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleФормирование слоев Сх→зМу→4 методом высокодозной имплантации азота в систему Si3N4/C/Si3N4/Siru
dc.title.alternativeFormation of the carbon-nitrogen sheets by high-dose nitrogen ions implantation into layered silicon nitride-carbon system / A. F. Komarov, V. V. Pilko, N. N. Nikiforenko, V. A. Emel'yanov, C. Karwatru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeThe nitrogen ion implantation parameters for the layered silicon nitride-carbon structure are simulated using the program BEAM2HD and realized in the experiment. The nitrogen depth distribution was tested by RBS. The composition of the formed sheets was near to the C/N ratio of The possibility of the carbon nitride phase formation is discussed.ru
Appears in Collections:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
28-30.pdf716,76 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.