Формирование слоев Сх→зМу→4 методом высокодозной имплантации азота в систему Si3N4/C/Si3N4/Si

Abstract

В данной работе проведено исследование (эксперимент, а также компьютерное моделирование) формирования слоев методом высокодозной имплантации азота в систему Si3N4/C/Si3N4/Si. Параметры легирования N": Е=100 кэВ, доза=1.96x10^® ион/см . Компьютерное моделирование проведено с помощью программы BEAM2HD [1], основанной на методе Монте-Карло, которая позволяет моделировать торможение ионов в аморфных твердых телах. Данная программа представляет возможность моделировать процесс одно- или двухпучковой высокодозной ионной имплантации в многослойные и многокомпонентные мишени. При этом число слоев не превышает трех, а число разных типов атомов в каждом слое не превышает семи. На основании данной программы проведен расчет толщины послойного распыления мишени, профиль распределения имплантированного азота в многослойной структуре, а также предложены оптимальные энергии и дозы имплантации азота для формирования слоя, близкого по стехиометрии к C3N4.