Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/202690Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Анищик, В. М. | - |
| dc.contributor.author | Горушко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Понарядов, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Солодуха, В. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-04T12:06:58Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-04T12:06:58Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Журнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. - 2018. - № 2. - С. 81-85 | ru |
| dc.identifier.issn | 2520-2243 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/202690 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты исследования влияния быстрой термической обработки исходных кремниевых пластин на процесс их пирогенного окисления. Показано, что данная обработка приводит к повышению качества двуокиси кремния, сформированной на их поверхности за счет уменьшения толщины нарушенного слоя, оказывающего существенное влияние на начальный этап окисления. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Влияние быстрой термической обработки исходных кремниевых пластин на процесс их пирогенного окисления | ru |
| dc.title.alternative | Influence of the rapid thermal treatment of the initial silicon wafers on the process of their pyrogenic oxidation / V. M. Anishchik, V. A. Harushka, U. A. Pilipenka, V. V. Ponariadov, V. A. Saladukha | ru |
| dc.type | article | en |
| dc.description.alternative | The work represents the investigation results of influence of rapid thermal treatment of the initial silicon wafers on the process of their pyrogenic oxidation. It is shown that the given treatment results in the quality enhancement of silicon dioxide, formed on their surface owing to thickness reduction of the disrupted layer, substantially influencing the initial stage of the oxidation process. | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2018, №2 | |
Полный текст документа:
Нет файлов, ассоциированных с этим документом.
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.