Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/185922| Title: | Применение быстрой термической обработки для отжига ионно-легированных слоев в поликремнии |
| Other Titles: | Application of the rapid thermal treatment for annealing the ion-doped layers of polysilicon / V. M. Anishchik, V. A. Harushka, U. A. Pilipenka, V. V. Ponariadov, V. A. Saladukha |
| Authors: | Анищик, В. М. Горушко, В. А. Пилипенко, В. А. Понарядов, В. В. Солодуха, В. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2017 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Журнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. - 2017. - № 2. - С. 63-68 |
| Abstract: | Рассмотрена возможность использования быстрой термической обработки для формирования ионно-легированных слоев в поликремнии. Показано, что применение быстрой термической обработки позволяет уменьшить перераспределение внедренной примеси, получить более полную ее электрическую активацию. Объяснен ускоренный процесс диффузии внедренной в поликремний примеси при использовании мощного светового потока. = The possibility to apply the rapid thermal treatment procedure for the formation of ion-doped layers in polycrystalline silicon is considered. It is demonstrated that such rapid thermal treatment allows one to reduce redistribution of the implanted admixture, to make its electric activation more complete. The accelerated diffusion process of the admixture implanted into polycrystalline silicon with the use of the intense light flux is consistently explained. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/185922 |
| ISSN: | 2520-2243 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2017, №2 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.