Применение быстрой термической обработки для отжига ионно-легированных слоев в поликремнии

Abstract

Рассмотрена возможность использования быстрой термической обработки для формирования ионно-легированных слоев в поликремнии. Показано, что применение быстрой термической обработки позволяет уменьшить перераспределение внедренной примеси, получить более полную ее электрическую активацию. Объяснен ускоренный процесс диффузии внедренной в поликремний примеси при использовании мощного светового потока. = The possibility to apply the rapid thermal treatment procedure for the formation of ion-doped layers in polycrystalline silicon is considered. It is demonstrated that such rapid thermal treatment allows one to reduce redistribution of the implanted admixture, to make its electric activation more complete. The accelerated diffusion process of the admixture implanted into polycrystalline silicon with the use of the intense light flux is consistently explained.