Особенности возникновения структурных дефектов в сильнолегированном Si при диффузии фосфора

Abstract

С помощью метода диффузного рассеяния рентгеновских лучей изучены структурные дефекты, возникающие в сильнолегированном кремнии при диффузии фосфора при Т = 900-970 оС. Установлено, что в процессе диффузии при Т = 900-970 оС в Si формируются дефекты вакансионного и межузельного типов = The structural defects, generated in highly doped silicon under phosphorus diffusion at 900-970 оС, have been investigated using X-rays diffuse scattering technique. It has been established that vacancy-type and interstitial defects are formed under diffusion at this temperature