Влияние «горячих» условий имплантации и высокотемпературного отжига на процессы формирования нанокластеров ZnSe в слоях SiO2

Abstract

В работе продемонстрирована возможность формирования в слоях SiO2 наноразмерных кластеров ZnSe как сразу после имплантации в «горячих» (550°С) условиях, так и после высокотемпературного отжига (1000ºС, 3 мин в атмосфере аргона). Установлено, что использование «горячих» условий имплантации приводит к формированию мелких (2-15 нм) нанокластеров уже сразу после имплантации ионов цинка и селена. В результате последующей термообработки происходит структурная перестройка и увеличение размеров кластеров (до 80 нм). Методом комбинационного рассеяния света регистрируется полоса при 251-256 см-1, обусловленная рассеянием на продольном оптическом фононе (LO мода) кристаллического ZnSe = We have studied the formation of ZnSe precipitates in silicon dioxide by means of Zn (150 keV, 4·1016 cm−2) and Se (170 keV, 4·1016 cm−2) implantation at 550°C and subsequent annealing at 1000°C for 3 min. From analysis of XTEM images it has been showen that the use of "hot" implantation leads to the formation of small nanoclusters with sizes from 2 to 15 nm. Subsequent annealing results in the redistribution of nanoclusters within the implanted layer and the formation of large crystallites (up to 80 nm). The band at 251-256 cm-1 associated with LO phonons of crystal ZnSe was registered in Raman spectra