Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/182256
Title: Влияние «горячих» условий имплантации и высокотемпературного отжига на процессы формирования нанокластеров ZnSe в слоях SiO2
Other Titles: Formation of ZnSe nanoclusters in SiO2 layers by high-fluence ion implantation with subsequent annealing / Maksim Makhavikou, Fadei Komarov, Oleg Milchanin, Irina Parhomenko, Liudmila Vlasukova, Elke Wendler
Authors: Моховиков, М. А.
Комаров, Ф. Ф.
Мильчанин, О. В.
Пархоменко, И. Н.
Власукова, Л. А.
Wendler, E.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2017
Publisher: Минск: Изд. центр БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: материалы 12-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 19—22 сент. 2017 г. / редкол.: В.В. Углов (отв.ред.) [и др.]. — Минск: Изд. центр БГУ, 2017. — С. 345-347.
Abstract: В работе продемонстрирована возможность формирования в слоях SiO2 наноразмерных кластеров ZnSe как сразу после имплантации в «горячих» (550°С) условиях, так и после высокотемпературного отжига (1000ºС, 3 мин в атмосфере аргона). Установлено, что использование «горячих» условий имплантации приводит к формированию мелких (2-15 нм) нанокластеров уже сразу после имплантации ионов цинка и селена. В результате последующей термообработки происходит структурная перестройка и увеличение размеров кластеров (до 80 нм). Методом комбинационного рассеяния света регистрируется полоса при 251-256 см-1, обусловленная рассеянием на продольном оптическом фононе (LO мода) кристаллического ZnSe = We have studied the formation of ZnSe precipitates in silicon dioxide by means of Zn (150 keV, 4·1016 cm−2) and Se (170 keV, 4·1016 cm−2) implantation at 550°C and subsequent annealing at 1000°C for 3 min. From analysis of XTEM images it has been showen that the use of "hot" implantation leads to the formation of small nanoclusters with sizes from 2 to 15 nm. Subsequent annealing results in the redistribution of nanoclusters within the implanted layer and the formation of large crystallites (up to 80 nm). The band at 251-256 cm-1 associated with LO phonons of crystal ZnSe was registered in Raman spectra
Description: Секция 4. Пучковые методы формирования наноматериалов и наноструктур
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/182256
ISBN: 978-985-553-446-5
Appears in Collections:2017. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
345-347.pdf839,75 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.