Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/170227| Заглавие документа: | Modeling high-concentration phosphorus diffusion in crystalline silicon |
| Авторы: | Velichko, O. I. Aksenov, V. V. Anufriev, L. P. Golubev, N. F. Komarov, A. F. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2013 |
| Издатель: | Springer New York Consultants Bureau |
| Библиографическое описание источника: | Journal of Engineering Physics and Thermophysics. - Vol. 86, No. 3. - Pp. 667-675. |
| Аннотация: | Phosphorus diffusion in crystalline silicon in doping from a surface source at a temperature of 840oC and a duration of 10 min has been modeled. Good agreement with experimental data has been obtained, which confi rms the adequacy of the employed model of high-concentration phosphorus diffusion. This model takes account of the drift of self-interstitials in the fi eld of internal elastic stresses |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/170227 |
| ISSN: | 1062-0125 |
| Располагается в коллекциях: | Статьи сотрудников НИИ ПФП |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 667-675.pdf | 516,37 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.