Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/170218| Заглавие документа: | Simulation of Radiation Effects in SiO2/Si Structures |
| Авторы: | Komarov, F. F. Zayats, G. M. Komarov, A. F. Miskiewicz, S. A. Michailov, V. V. Komsta, H. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2015 |
| Издатель: | Polska Akademia Nauk |
| Библиографическое описание источника: | Acta Physica Polonica A. - 2013. - Vol. 128, No. 5. - Pp. 857-860. |
| Аннотация: | The space-time evolution of electric charge induced in the dielectric layer of simulated metal-insulator- semiconductor structures due to irradiation with X-rays is discussed. The system of equations used as a basis for the simulation model is solved iteratively by the efficient numerical method. The obtained simulation results correlate well with the respective data presented in other scientific publications |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/170218 |
| ISSN: | 0587-4246; 1898-794X (online) |
| Располагается в коллекциях: | Статьи сотрудников НИИ ПФП |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 857-860.pdf | 387,27 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.