Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/170218Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Komarov, F. F. | - |
| dc.contributor.author | Zayats, G. M. | - |
| dc.contributor.author | Komarov, A. F. | - |
| dc.contributor.author | Miskiewicz, S. A. | - |
| dc.contributor.author | Michailov, V. V. | - |
| dc.contributor.author | Komsta, H. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-04-05T07:57:50Z | - |
| dc.date.available | 2017-04-05T07:57:50Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Acta Physica Polonica A. - 2013. - Vol. 128, No. 5. - Pp. 857-860. | ru |
| dc.identifier.issn | 0587-4246; 1898-794X (online) | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/170218 | - |
| dc.description.abstract | The space-time evolution of electric charge induced in the dielectric layer of simulated metal-insulator- semiconductor structures due to irradiation with X-rays is discussed. The system of equations used as a basis for the simulation model is solved iteratively by the efficient numerical method. The obtained simulation results correlate well with the respective data presented in other scientific publications | ru |
| dc.language.iso | en | ru |
| dc.publisher | Polska Akademia Nauk | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Simulation of Radiation Effects in SiO2/Si Structures | ru |
| dc.type | journal article | ru |
| Располагается в коллекциях: | Статьи сотрудников НИИ ПФП | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 857-860.pdf | 387,27 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.