Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/169014| Заглавие документа: | Negative differential resistance in n-type noncompensated silicon at low temperature |
| Авторы: | Danilyuk, A. L. Trafimenko, A. G. Fedotov, A. K. Svito, I. A. Prischepa, S. L. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | ноя-2016 |
| Издатель: | AIP Publishing |
| Библиографическое описание источника: | Applied Physics Letters. - 2016. - Vol. 109, Issue 22. - P. 222104-1 - 222104-4 |
| Аннотация: | We present the results on low temperature current-voltage characteristics of noncompensated Si doped by Sb. In the temperature range 1.9–2.25 K and at electrical fields smaller than 1 V/cm, the negative differential resistance (NDR) was observed. The external magnetic field enhances the region of the NDR. We attribute this effect to the delocalization of the D− states in the upper Hubbard band due to the accumulation of the charge injected by current. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/169014 |
| ISSN: | 0003-6951 |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Negative differential resistance in n-type noncompensated silicon at low temperature.pdf | 1,41 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.