Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/169014
Заглавие документа: Negative differential resistance in n-type noncompensated silicon at low temperature / A.L. Danilyuk, A.G. Trafimenko, A.K. Fedotov, I.A. Svito, S.L. Prischepa // Applied Physics Letters. - 2016. - Vol. 109, Issue 22. - P. 222104-1 - 222104-4
Авторы: Danilyuk, A. L.
Trafimenko, A. G.
Fedotov, A. K.
Svito, I. A.
Prischepa, S. L.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: ноя-2016
Издатель: AIP Publishing
Библиографическое описание источника: Applied Physics Letters
Аннотация: We present the results on low temperature current-voltage characteristics of noncompensated Si doped by Sb. In the temperature range 1.9–2.25 K and at electrical fields smaller than 1 V/cm, the negative differential resistance (NDR) was observed. The external magnetic field enhances the region of the NDR. We attribute this effect to the delocalization of the D− states in the upper Hubbard band due to the accumulation of the charge injected by current.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/169014
ISSN: 0003-6951
Располагается в коллекциях:Статьи сотрудников физического факультета

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Negative differential resistance in n-type noncompensated silicon at low temperature.pdf1,41 MBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.