Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/169014Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Danilyuk, A. L. | - |
| dc.contributor.author | Trafimenko, A. G. | - |
| dc.contributor.author | Fedotov, A. K. | - |
| dc.contributor.author | Svito, I. A. | - |
| dc.contributor.author | Prischepa, S. L. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-03-02T15:34:22Z | - |
| dc.date.available | 2017-03-02T15:34:22Z | - |
| dc.date.issued | 2016-11 | - |
| dc.identifier.citation | Applied Physics Letters. - 2016. - Vol. 109, Issue 22. - P. 222104-1 - 222104-4 | ru |
| dc.identifier.issn | 0003-6951 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/169014 | - |
| dc.description.abstract | We present the results on low temperature current-voltage characteristics of noncompensated Si doped by Sb. In the temperature range 1.9–2.25 K and at electrical fields smaller than 1 V/cm, the negative differential resistance (NDR) was observed. The external magnetic field enhances the region of the NDR. We attribute this effect to the delocalization of the D− states in the upper Hubbard band due to the accumulation of the charge injected by current. | ru |
| dc.language.iso | en | ru |
| dc.publisher | AIP Publishing | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Negative differential resistance in n-type noncompensated silicon at low temperature | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Negative differential resistance in n-type noncompensated silicon at low temperature.pdf | 1,41 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.