Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/165172| Заглавие документа: | Усовершенствование процесса выращивания наноструктур жидкофазной эпитаксией |
| Авторы: | Вельченко, А. А. Марончук, И. И. Саникович, Д. Д. Потапков, П. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2016 |
| Издатель: | Минск : Изд. центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 222–225. |
| Аннотация: | Выявлены недостатки в оборудовании и технологических подходах проведения процессов выращивания наноструктур с квантовыми точками методом жидкофазной эпитаксии, используемых нами ранее. Проведено физико-математическое моделирование процессов выращивания наноструктур жидкофазной эпитаксией, используя SolidWorks, программу FlowSimulation, определившее наличие негативных факторов, влияющих на процессы. Проведена оптимизация математической модели и оборудования, его настройка. Выращены открытые квантовые точки Ge на Si подложке, исследованные атомно-силовой микроскопией. Установлено хорошее согласие расчетного и экспериментального распределения температур в процессе выращивания воспроизводимых структур. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/165172 |
| ISBN: | 978-985-553-403-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки РФ по базовой части государственного задания №2014/702. |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| С.222-225_Вельченко.pdf | 445,06 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.