Химическая чистота и параметры МОП-структур на кремнии

Васильев, Ю. Б.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Садовский, П. К.; Тарасик, М. И.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/163353

Title:	Химическая чистота и параметры МОП-структур на кремнии
Authors:	Васильев, Ю. Б. Оджаев, В. Б. Панфиленко, А. К. Петлицкий, А. Н. Садовский, П. К. Тарасик, М. И. Филипеня, В. А. Челядинский, А. Р.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленность
Issue Date:	2016
Publisher:	Минск : Изд. центр БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 37–40.
Abstract:	Целью работы является установление влияния геттерирования неконтролируемых примесей в кремнии на параметры МОП транзисторов.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/163353
ISBN:	978-985-553-403-8
Sponsorship:	Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований.
Appears in Collections:	2016. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
с.37-40_Васильев.pdf		420,58 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar