Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/163353
Заглавие документа: Химическая чистота и параметры МОП-структур на кремнии
Авторы: Васильев, Ю. Б.
Оджаев, В. Б.
Панфиленко, А. К.
Петлицкий, А. Н.
Садовский, П. К.
Тарасик, М. И.
Филипеня, В. А.
Челядинский, А. Р.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленность
Дата публикации: 2016
Издатель: Минск : Изд. центр БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 37–40.
Аннотация: Целью работы является установление влияния геттерирования неконтролируемых примесей в кремнии на параметры МОП транзисторов.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/163353
ISBN: 978-985-553-403-8
Финансовая поддержка: Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований.
Располагается в коллекциях:2016. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
с.37-40_Васильев.pdf420,58 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.