Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/163353
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorВасильев, Ю. Б.-
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.-
dc.contributor.authorПанфиленко, А. К.-
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.-
dc.contributor.authorСадовский, П. К.-
dc.contributor.authorТарасик, М. И.-
dc.contributor.authorФилипеня, В. А.-
dc.contributor.authorЧелядинский, А. Р.-
dc.date.accessioned2016-12-20T17:43:26Z-
dc.date.available2016-12-20T17:43:26Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 37–40.ru
dc.identifier.isbn978-985-553-403-8-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/163353-
dc.description.abstractЦелью работы является установление влияния геттерирования неконтролируемых примесей в кремнии на параметры МОП транзисторов.ru
dc.description.sponsorshipБелорусский республиканский фонд фундаментальных исследований.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : Изд. центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленностьru
dc.titleХимическая чистота и параметры МОП-структур на кремнииru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2016. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
с.37-40_Васильев.pdf420,58 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.