Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2016. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Поиск


Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.

 | 
Результаты 91-100 из 111.
Найденные документы:
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2016Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2016Изменения электрофизических свойств и структуры кристаллов «солнечного» кремния, обусловленные действием магнитных полейСтебленко, Л. П.; Подолян, А. А.; Надточий, А. Б.; Мельник, А. К.; Курилюк, А. Н.; Кобзарь, Ю. Л.; Юргелевич, И. В.; Науменко, С. Н.; Калиниченко, Д. В.; Крит, А. Н.
2016Формирование тонких слоев SiC на кремниевых пластинах с кремний-германиевым буфферным слоемНовиков, А. Г.; Батулев, А. А.; Гайдук, П. И.
2016Электрофизические свойства поликристаллических слоев Ge+Sn после обработки в водородной плазмеПрокопьев, С. Л.; Сульжич, И. А.; Новиков, А. Г.; Гайдук, П. И.
2016О корректности одной задачи диагностики электрофизических параметров прямозонных полупроводников методами катодолюминесцентной микроскопииТуртин, Д. В.; Степович, М. А.; Поляков, А. Н.
2016Формирование изоляции мезаструктур интегральных схем на арсениде галлияТелеш, Е. В.
2016Новые аспекты ионной имплантацииХайбуллин, Р. И.
2016Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A.
2016Диффузионные характеристики кислородных димеров и комплексов вакансия – два атома кислорода в кремнии: данные ИК поглощенияМурин, Л. И.; Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.
2016Влияние добавки золя SnO2 в электролит меднения на микроструктуру и электропроводность тонких медных пленокКонаков, А. О.; Воробьева, Т. Н.

Просмотр