Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/158750
Заглавие документа: | Влияние окислительного отжига на проводимость на переменном токе пленок диоксида олова |
Авторы: | Адамчук, Д. В. Ксеневич, В. К. Горбачук, Н. И. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2015 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Вестник БГУ. Серия 1, Физика. Математика. Информатика. - 2015. - № 3. - С. 39-44 |
Аннотация: | Представлены результаты исследований электропроводности на переменном токе тонкопленочных образцов диоксида олова, полученных магнетронным напылением металлического олова с последующим двухстадийным окислительным отжигом. На основании анализа годографов импеданса пленок, синтезированных при температуре отжига 200 °С в течение 2 ч, показано, что электронный транспорт определяется проводимостью кристаллитов и межкристаллитными энергетическими барьерами. Дополнительный высокотемпературный (400 –500 °С) отжиг в течение 1 ч позволяет получать пленки с резистивным характером проводимости, что связывается с увеличением концентрации кислородных вакансий, а также уменьшением величины потенциальных барьеров между кристаллитами. Отжиг при более высоких температурах (600 –700 °С) приводит к доокислению пленки, в результате которого уменьшается концентрация кислородных вакансий и увеличивается сопротивление пленки диоксида олова. = The results obtained during investigations of AC-conductivity of the tin dioxide thin-film samples fabricated by magnetron sputtering of metallic tin with the following two-step oxidative annealing are presented in this paper. By means of the impedance spectroscopy method, it has been found that at the first low-temperature step of oxidative 2-hour annealing (200 °С) polycrystalline films of tin oxide are formed. The charge transport in these films is determined by the conductivity of crystallites and intercrystalline barriers. As a result of additional 1-hour high-temperature (400 –500 °С) annealing, the films with a resistive character of conductivity are fabricated due to increase in the concentration of oxygen vacancies and decrease of the potential barriers between the crystallites. Annealing at higher temperatures (600 –700 °C) leads to further oxidation of the films resulting in the decreased concentration of oxygen vacancies and growing resistance of these films. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/158750 |
ISSN: | 1561-834X |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | 2015, №3 (сентябрь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.