Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/158750
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Адамчук, Д. В. | - |
dc.contributor.author | Ксеневич, В. К. | - |
dc.contributor.author | Горбачук, Н. И. | - |
dc.date.accessioned | 2016-10-18T10:23:04Z | - |
dc.date.available | 2016-10-18T10:23:04Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.citation | Вестник БГУ. Серия 1, Физика. Математика. Информатика. - 2015. - № 3. - С. 39-44 | ru |
dc.identifier.issn | 1561-834X | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/158750 | - |
dc.description.abstract | Представлены результаты исследований электропроводности на переменном токе тонкопленочных образцов диоксида олова, полученных магнетронным напылением металлического олова с последующим двухстадийным окислительным отжигом. На основании анализа годографов импеданса пленок, синтезированных при температуре отжига 200 °С в течение 2 ч, показано, что электронный транспорт определяется проводимостью кристаллитов и межкристаллитными энергетическими барьерами. Дополнительный высокотемпературный (400 –500 °С) отжиг в течение 1 ч позволяет получать пленки с резистивным характером проводимости, что связывается с увеличением концентрации кислородных вакансий, а также уменьшением величины потенциальных барьеров между кристаллитами. Отжиг при более высоких температурах (600 –700 °С) приводит к доокислению пленки, в результате которого уменьшается концентрация кислородных вакансий и увеличивается сопротивление пленки диоксида олова. = The results obtained during investigations of AC-conductivity of the tin dioxide thin-film samples fabricated by magnetron sputtering of metallic tin with the following two-step oxidative annealing are presented in this paper. By means of the impedance spectroscopy method, it has been found that at the first low-temperature step of oxidative 2-hour annealing (200 °С) polycrystalline films of tin oxide are formed. The charge transport in these films is determined by the conductivity of crystallites and intercrystalline barriers. As a result of additional 1-hour high-temperature (400 –500 °С) annealing, the films with a resistive character of conductivity are fabricated due to increase in the concentration of oxygen vacancies and decrease of the potential barriers between the crystallites. Annealing at higher temperatures (600 –700 °C) leads to further oxidation of the films resulting in the decreased concentration of oxygen vacancies and growing resistance of these films. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Влияние окислительного отжига на проводимость на переменном токе пленок диоксида олова | ru |
dc.type | article | ru |
Располагается в коллекциях: | 2015, №3 (сентябрь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.