Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/1584| Title: | Исследование переходных процессов в полупроводниковых структурах : пособие / Н. А. Поклонский [и др.] |
| Authors: | Поклонский, Николай Александрович Горбачук, Николай Иванович Сягло, Андрей Иванович Шпаковский, Сергей Васильевич |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2009 |
| Publisher: | БГУ |
| Abstract: | В пособии рассмотрены основные закономерности переходных процессов в p-n-структурах на кремнии с учетом влияния генерации и рекомбинации неравновесных носителей заряда на точечных радиационных дефектах, а также приведены контрольные вопросы и задания к лабораторным работам. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности 1-31 04 01 "Физика (по направлениям)". |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/1584 |
| ISBN: | 978-985-518-248-2 |
| Presence of a mark: | Гриф УМО БГУ |
| Appears in Collections: | Учебники и другие пособия физического факультета |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| poklonski++.pdf | 15,1 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.