Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/1584Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Поклонский, Николай Александрович | - |
| dc.contributor.author | Горбачук, Николай Иванович | - |
| dc.contributor.author | Сягло, Андрей Иванович | - |
| dc.contributor.author | Шпаковский, Сергей Васильевич | - |
| dc.date.accessioned | 2010-10-26T14:40:28Z | - |
| dc.date.available | 2010-10-26T14:40:28Z | - |
| dc.date.issued | 2009 | - |
| dc.identifier.isbn | 978-985-518-248-2 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/1584 | - |
| dc.description.abstract | В пособии рассмотрены основные закономерности переходных процессов в p-n-структурах на кремнии с учетом влияния генерации и рекомбинации неравновесных носителей заряда на точечных радиационных дефектах, а также приведены контрольные вопросы и задания к лабораторным работам. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности 1-31 04 01 "Физика (по направлениям)". | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Исследование переходных процессов в полупроводниковых структурах : пособие / Н. А. Поклонский [и др.] | ru |
| dc.type | textbook | ru |
| dc.subject.recommendation | Гриф УМО БГУ | - |
| Располагается в коллекциях: | Учебники и другие пособия физического факультета | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| poklonski++.pdf | 15,1 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.