Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/1584| Заглавие документа: | Исследование переходных процессов в полупроводниковых структурах : пособие / Н. А. Поклонский [и др.] |
| Авторы: | Поклонский, Николай Александрович Горбачук, Николай Иванович Сягло, Андрей Иванович Шпаковский, Сергей Васильевич |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2009 |
| Издатель: | БГУ |
| Аннотация: | В пособии рассмотрены основные закономерности переходных процессов в p-n-структурах на кремнии с учетом влияния генерации и рекомбинации неравновесных носителей заряда на точечных радиационных дефектах, а также приведены контрольные вопросы и задания к лабораторным работам. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности 1-31 04 01 "Физика (по направлениям)". |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/1584 |
| ISBN: | 978-985-518-248-2 |
| Наличие грифа: | Гриф УМО БГУ |
| Располагается в коллекциях: | Учебники и другие пособия физического факультета |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| poklonski++.pdf | 15,1 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.