Оценка равномерности нагрева поверхности полупроводниковых пластин при быстрой термической обработке

Abstract

Проведен расчет равномерности нагрева кремниевых пластин по их площади в камере установки быстрой термической обработки. Показано, что отклонение температуры от среднего значения не зависит от времени и является одинаковым как в начале, так и в конце быстрых термообработок (БТО) световыми импульсами секундной длительности, совпадая с неравномерностью светового потока по площади пластины. = Based on the three-dimensional nonstationary equation for heat conductivity, the calculation of the heating uniformity of silicon wafers over the area within a chamber of the rapid thermal treatment unit was performed. It was shown that the temperature deviation from the mean value is not dependent on time, being equal both at the beginning and at the end of the rapid thermal treatment procedure with pulse duration of several seconds and coincident with the light flux nonuniformity over the wafer area.