Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/120128
Заглавие документа: РЕЛАКСАЦИЯ УПРУГИХ НАПРЯЖЕНИЙ ВБЛИЗИ ПОВЕРХНОСТИ ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО РЕЗИСТА ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
Авторы: Просолович, В. С.
Бринкевич, Д. И.
Янковский, Ю. Н.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2015
Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии экспериментально показано, что в процессе ионной имплантации на поверхности позитивного фоторезиста ФП2190 формируются неравномерно распределенные по поверхности конусообразные структуры. Высота, диаметр в основании и плотность распределения таких структур зависит от условий облучения и вида имплантированных ионов. Наблюдаемые при имплантации изменения морфологии поверхности фоторезиста обусловлены релаксацией напряжений, образовавшихся в процессе изготовления пленки, и радиационно-химическими процессами в приповерхностном слое фоторезиста.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/120128
Располагается в коллекциях:2015. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Просолович .pdf593,99 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.