ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ n-Ge

Abstract

На основе измерений эффекта Холла определены энергетические уровни радиационных дефектов (Ec -0,27) эВ, (Ec - 0,28) эВ), (EV + 0,29) эВ и (EV + 0,27) эВ для монокристаллов n-Ge, облученных электронами с энергией 10 МэВ. Получены температурные зависимости холловской подвижности для различных доз облучения. На основе теоретиче- ских расчетов показано, что созданным радиационным дефектам принадлежат лишь два глубоких энергетических уровни (Ec - 0,27) эВ and (EV + 0,27) эВ. Положения этих энергии уровней зависит от величины внутренних механических напряжений в решетке. Показано, что существенный вклад в рассеяние носителей тока в облученных монокристаллах германия вносят области упругих деформаций вокруг пар Френкеля.