Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/120120
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЛунев, С. В.-
dc.contributor.authorЗимич, А. И.-
dc.contributor.authorНазарчук, П. Ф.-
dc.date.accessioned2015-10-07T14:15:20Z-
dc.date.available2015-10-07T14:15:20Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/120120-
dc.description.abstractНа основе измерений эффекта Холла определены энергетические уровни радиационных дефектов (Ec -0,27) эВ, (Ec - 0,28) эВ), (EV + 0,29) эВ и (EV + 0,27) эВ для монокристаллов n-Ge, облученных электронами с энергией 10 МэВ. Получены температурные зависимости холловской подвижности для различных доз облучения. На основе теоретиче- ских расчетов показано, что созданным радиационным дефектам принадлежат лишь два глубоких энергетических уровни (Ec - 0,27) эВ and (EV + 0,27) эВ. Положения этих энергии уровней зависит от величины внутренних механических напряжений в решетке. Показано, что существенный вклад в рассеяние носителей тока в облученных монокристаллах германия вносят области упругих деформаций вокруг пар Френкеля.ru
dc.language.isoruru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ n-Geru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2015. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Лунёв.pdf548 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.