Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/120120
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Лунев, С. В. | - |
dc.contributor.author | Зимич, А. И. | - |
dc.contributor.author | Назарчук, П. Ф. | - |
dc.date.accessioned | 2015-10-07T14:15:20Z | - |
dc.date.available | 2015-10-07T14:15:20Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/120120 | - |
dc.description.abstract | На основе измерений эффекта Холла определены энергетические уровни радиационных дефектов (Ec -0,27) эВ, (Ec - 0,28) эВ), (EV + 0,29) эВ и (EV + 0,27) эВ для монокристаллов n-Ge, облученных электронами с энергией 10 МэВ. Получены температурные зависимости холловской подвижности для различных доз облучения. На основе теоретиче- ских расчетов показано, что созданным радиационным дефектам принадлежат лишь два глубоких энергетических уровни (Ec - 0,27) эВ and (EV + 0,27) эВ. Положения этих энергии уровней зависит от величины внутренних механических напряжений в решетке. Показано, что существенный вклад в рассеяние носителей тока в облученных монокристаллах германия вносят области упругих деформаций вокруг пар Френкеля. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ n-Ge | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2015. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.