Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/120120
Заглавие документа: ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ n-Ge
Авторы: Лунев, С. В.
Зимич, А. И.
Назарчук, П. Ф.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2015
Аннотация: На основе измерений эффекта Холла определены энергетические уровни радиационных дефектов (Ec -0,27) эВ, (Ec - 0,28) эВ), (EV + 0,29) эВ и (EV + 0,27) эВ для монокристаллов n-Ge, облученных электронами с энергией 10 МэВ. Получены температурные зависимости холловской подвижности для различных доз облучения. На основе теоретиче- ских расчетов показано, что созданным радиационным дефектам принадлежат лишь два глубоких энергетических уровни (Ec - 0,27) эВ and (EV + 0,27) эВ. Положения этих энергии уровней зависит от величины внутренних механических напряжений в решетке. Показано, что существенный вклад в рассеяние носителей тока в облученных монокристаллах германия вносят области упругих деформаций вокруг пар Френкеля.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/120120
Располагается в коллекциях:2015. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Лунёв.pdf548 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.