ОБОБЩЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ УРОВНИ ДИВАКАНСИИ ПРИ КОНФИГУРАЦИОННОЙ ПЕРЕСТРОЙКЕ В КРЕМНИИ

Abstract

Математически описана температурная зависимость концентрации носителей в кремнии, связанная с перезарядкой дважды отрицательной и положительно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсии в меньшую дисторсию и обратно. Доказано, что экспериментальное наблюдение обобщенных уровней Ес – 0.23 эВ, Ес – 0.11 эВ и Еv + 0.283 эВ дивакансии (V2) возможно только в процессе ее конфигурационной перестройки. Показано, что концентрация экспериментально наблюдаемых обобщѐнных уровней дивакансии определяется не только видом ядерного излучения, но и зависит от введения точечных дефектов межузельного типа. Определена концентрация и зарядовое состояние обобщенных уровней дивакансии.