ОБОБЩЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ УРОВНИ ДИВАКАНСИИ ПРИ КОНФИГУРАЦИОННОЙ ПЕРЕСТРОЙКЕ В КРЕМНИИ

Долголенко, А. П.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/120116

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Долголенко, А. П.	-
dc.date.accessioned	2015-10-07T13:57:52Z	-
dc.date.available	2015-10-07T13:57:52Z	-
dc.date.issued	2015	-
dc.identifier.uri	http://elib.bsu.by/handle/123456789/120116	-
dc.description.abstract	Математически описана температурная зависимость концентрации носителей в кремнии, связанная с перезарядкой дважды отрицательной и положительно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсии в меньшую дисторсию и обратно. Доказано, что экспериментальное наблюдение обобщенных уровней Ес – 0.23 эВ, Ес – 0.11 эВ и Еv + 0.283 эВ дивакансии (V2) возможно только в процессе ее конфигурационной перестройки. Показано, что концентрация экспериментально наблюдаемых обобщѐнных уровней дивакансии определяется не только видом ядерного излучения, но и зависит от введения точечных дефектов межузельного типа. Определена концентрация и зарядовое состояние обобщенных уровней дивакансии.	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика	ru
dc.title	ОБОБЩЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ УРОВНИ ДИВАКАНСИИ ПРИ КОНФИГУРАЦИОННОЙ ПЕРЕСТРОЙКЕ В КРЕМНИИ	ru
dc.type	conference paper	ru
Appears in Collections:	2015. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Долголенко-2.pdf		645,25 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar