Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/113499
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorBenediktovitch, A. I.-
dc.contributor.authorZhylik, Alexei-
dc.contributor.authorUlyanenkova, Tatjana-
dc.contributor.authorMyronov, Maksym-
dc.contributor.authorUlyanenkov, A.-
dc.date.accessioned2015-04-29T11:53:43Z-
dc.date.available2015-04-29T11:53:43Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationJ. Appl. Cryst. (2015). 48ru
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/113499-
dc.language.isoenru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleCharacterization of dislocations in germanium layers grown on (011)- and (111)-oriented silicon by coplanar and noncoplanar X-ray diffractionru
dc.typearticleru
Располагается в коллекциях:Кафедра теоретической физики и астрофизики (статьи)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
2015'Benediktovitch_JAC.pdf1 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.