Солнечные элементы на основе полупроводниковых материалов

Abstract

Проанализирован текущий статус и будущие развитие солнечной энергетики как одной из наиболее быстро растущих отраслей промышленности в настоящее время. Представлены наиболее важные результаты достижений в области солнечных элементов и модулей на основе полупроводниковых материалов. Кратко обсуждены теория фотовольтаического эффекта, требования к материалам для оптимальной работы солнечных элементов с p-n-переходом и основные характеристики солнечных элементов. Представлены физические аспекты различных фотовольтаических материалов, приборов и недавних достижений в области солнечных элементов на основе моно-/поли-/микрокристаллического кремния (Si), аморфного Si, соединений AIIIBV и халькогенидных материалов (Cu(In,Ga)(S,Se)2 и CdTe). Изложены не только теоретические аспекты той или иной проблемы, но и описаны технологии получения и конструкции полупроводниковых солнечных элементов и действующих модулей, основные методы изучения материалов для солнечных элементов, а также показаны перспективы внедрения фотопреобразователй в практику.