Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/108434
Заглавие документа: Разработка и исследование процессов выращивания кремний-германиевых гетероструктур для создания полупроводниковых приборов : отчет о научно- исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель П. И. Гайдук
Авторы: Гайдук, П. И.
Новиков, А. Г.
Ивлев, Г. Д.
Зайков, В. А.
Прокопьев, С. Л.
Пархоменко, И. Н.
Шевцова, В. И.
Антонович, M. Л.
Наливайко, О. Ю.
Рудницкий, К. В.
Пшеничный, Е. Н.
Лепешкевич, Г. В.
Прокофьев, В. М.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2013
Издатель: Минск : БГУ
Аннотация: Объектом исследования НИР являлись процессы формирования опто- электронных приборов при воздействии на пластины Si и слои SiGe сплавов мощного импульсного лазерного излучения. Целью работы являлось исследование самоорганизации наноразмерных полупроводниковых структур при воздействии мощных лазерных импульсов и разработка экспериментальных и теоретических методов создания приборных структур оптоэлектроники. Основные методы исследований: атомно-силовая микроскопия, просве-чивающая электронная микроскопия, резерфордовское обратное рассеяние, фотолюминесценция, фотоэлектрические измерения, Фурье-спектрометрия. В процессе работы использовались приборы: электронные микроскопы ЭМ-125 и Philips CM-20, атомно-силовые микроскопы Rasterscope 3000, Integra Prima, Veeco Digital Instruments CP-II, ускоритель ионов AN2500 и Accelerator-5 MeV, лазерные комплексы, высокотемпературные печи, Фурье-спектрометр Vertex-70, монохроматор МДР-23, германиевые фотоприемники и др. В результате проведенной работы на модернизированной промышленной установке "Изотрон 4 150" разработан технологический маршрут химического осаждения из газовой фазы слоев SiGe на пластины кремния, исследован дефектно-примесный состав обработанных лазером слоев Si и SiGe сплавов; проведен анализ элементного состава, структуры и фазового состояния слоев Si и SiGe после облучения лазером; на основе выполненных структурных исследований оптимизированы режим лазерной обработки пластин Si и SiGe сплавов, изготовлены и проведены сравнительные измерения параметров экспериментальных оптоэлектронных структур. Результаты работы могут быть использованы при изготовлении приборов оптоэлектроники, одноэлектронных транзисторов, энергонезависимых схем памяти, интегрированных с традиционными кремниевыми СБИС.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/108434
Регистрационный номер: № гос. регистрации 20114943
Располагается в коллекциях:Отчеты 2013

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
отчет Гайдук 20114943.doc19,6 MBMicrosoft WordОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.