Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108434
Заглавие документа: | Разработка и исследование процессов выращивания кремний-германиевых гетероструктур для создания полупроводниковых приборов : отчет о научно- исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель П. И. Гайдук |
Авторы: | Гайдук, П. И. Новиков, А. Г. Ивлев, Г. Д. Зайков, В. А. Прокопьев, С. Л. Пархоменко, И. Н. Шевцова, В. И. Антонович, M. Л. Наливайко, О. Ю. Рудницкий, К. В. Пшеничный, Е. Н. Лепешкевич, Г. В. Прокофьев, В. М. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2013 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Аннотация: | Объектом исследования НИР являлись процессы формирования опто- электронных приборов при воздействии на пластины Si и слои SiGe сплавов мощного импульсного лазерного излучения. Целью работы являлось исследование самоорганизации наноразмерных полупроводниковых структур при воздействии мощных лазерных импульсов и разработка экспериментальных и теоретических методов создания приборных структур оптоэлектроники. Основные методы исследований: атомно-силовая микроскопия, просве-чивающая электронная микроскопия, резерфордовское обратное рассеяние, фотолюминесценция, фотоэлектрические измерения, Фурье-спектрометрия. В процессе работы использовались приборы: электронные микроскопы ЭМ-125 и Philips CM-20, атомно-силовые микроскопы Rasterscope 3000, Integra Prima, Veeco Digital Instruments CP-II, ускоритель ионов AN2500 и Accelerator-5 MeV, лазерные комплексы, высокотемпературные печи, Фурье-спектрометр Vertex-70, монохроматор МДР-23, германиевые фотоприемники и др. В результате проведенной работы на модернизированной промышленной установке "Изотрон 4 150" разработан технологический маршрут химического осаждения из газовой фазы слоев SiGe на пластины кремния, исследован дефектно-примесный состав обработанных лазером слоев Si и SiGe сплавов; проведен анализ элементного состава, структуры и фазового состояния слоев Si и SiGe после облучения лазером; на основе выполненных структурных исследований оптимизированы режим лазерной обработки пластин Si и SiGe сплавов, изготовлены и проведены сравнительные измерения параметров экспериментальных оптоэлектронных структур. Результаты работы могут быть использованы при изготовлении приборов оптоэлектроники, одноэлектронных транзисторов, энергонезависимых схем памяти, интегрированных с традиционными кремниевыми СБИС. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108434 |
Регистрационный номер: | № гос. регистрации 20114943 |
Располагается в коллекциях: | Отчеты 2013 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
отчет Гайдук 20114943.doc | 19,6 MB | Microsoft Word | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.