Разработка и исследование процессов выращивания кремний-германиевых гетероструктур для создания полупроводниковых приборов : отчет о научно- исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель П. И. Гайдук

Abstract

Объектом исследования НИР являлись процессы формирования опто-

электронных приборов при воздействии на пластины Si и слои SiGe сплавов

мощного импульсного лазерного излучения. Целью работы являлось исследование самоорганизации наноразмерных

полупроводниковых структур при воздействии мощных лазерных импульсов и

разработка экспериментальных и теоретических методов создания приборных

структур оптоэлектроники. Основные методы исследований: атомно-силовая микроскопия, просве-чивающая

электронная микроскопия, резерфордовское обратное рассеяние,

фотолюминесценция, фотоэлектрические измерения, Фурье-спектрометрия. В процессе работы использовались приборы: электронные микроскопы ЭМ-125 и

Philips CM-20, атомно-силовые микроскопы Rasterscope 3000, Integra Prima,

Veeco Digital Instruments CP-II, ускоритель ионов AN2500 и Accelerator-5 MeV,

лазерные комплексы, высокотемпературные печи, Фурье-спектрометр Vertex-70,

монохроматор МДР-23, германиевые фотоприемники и др. В результате проведенной работы на модернизированной промышленной

установке "Изотрон 4 150" разработан технологический маршрут химического

осаждения из газовой фазы слоев SiGe на пластины кремния, исследован

дефектно-примесный состав обработанных лазером слоев Si и SiGe сплавов;

проведен анализ элементного состава, структуры и фазового состояния слоев Si

и SiGe после облучения лазером; на основе выполненных структурных

исследований оптимизированы режим лазерной обработки пластин Si и SiGe

сплавов, изготовлены и проведены сравнительные измерения параметров

экспериментальных оптоэлектронных структур. Результаты работы могут быть использованы при изготовлении приборов

оптоэлектроники, одноэлектронных транзисторов, энергонезависимых схем

памяти, интегрированных с традиционными кремниевыми СБИС.