Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108427| Заглавие документа: | Квантовый выход люминесценции и оже-рекомбинация в широкозонных полупроводниковых соединениях нитридов |
| Авторы: | Кононенко, В. К. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Аннотация: | В работе рассмотрено изменение квантового выхода люминесценции в квантоворазмерных гетероструктурах на основе GaInN GaN и GaN AlGaN. Для этих систем установлена основная причина падения квантового выхода люминесценции из-за оже-рекомбинации (ОР), и с учетом безызлучательной рекомбинации оценен коэффициент ОР для широкозонных полупроводниковых материалов. В соединениях с шириной запрещенной зоны выше 2.0 эВ вероятность ОР остается практически постоянной. Природа установленной закономерности до сих пор не выяснена. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108427 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.194-197.pdf | 282,92 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.