Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108427Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Кононенко, В. К. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-01-28T14:35:46Z | - |
| dc.date.available | 2015-01-28T14:35:46Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-553-234-8 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108427 | - |
| dc.description.abstract | В работе рассмотрено изменение квантового выхода люминесценции в квантоворазмерных гетероструктурах на основе GaInN GaN и GaN AlGaN. Для этих систем установлена основная причина падения квантового выхода люминесценции из-за оже-рекомбинации (ОР), и с учетом безызлучательной рекомбинации оценен коэффициент ОР для широкозонных полупроводниковых материалов. В соединениях с шириной запрещенной зоны выше 2.0 эВ вероятность ОР остается практически постоянной. Природа установленной закономерности до сих пор не выяснена. | ru |
| dc.description.sponsorship | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Квантовый выход люминесценции и оже-рекомбинация в широкозонных полупроводниковых соединениях нитридов | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.194-197.pdf | 282,92 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.