Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108427| Title: | Квантовый выход люминесценции и оже-рекомбинация в широкозонных полупроводниковых соединениях нитридов |
| Authors: | Кононенко, В. К. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | Издательский центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Abstract: | В работе рассмотрено изменение квантового выхода люминесценции в квантоворазмерных гетероструктурах на основе GaInN GaN и GaN AlGaN. Для этих систем установлена основная причина падения квантового выхода люминесценции из-за оже-рекомбинации (ОР), и с учетом безызлучательной рекомбинации оценен коэффициент ОР для широкозонных полупроводниковых материалов. В соединениях с шириной запрещенной зоны выше 2.0 эВ вероятность ОР остается практически постоянной. Природа установленной закономерности до сих пор не выяснена. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108427 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Sponsorship: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Appears in Collections: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| p.194-197.pdf | 282,92 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.