Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/108427
Title: Квантовый выход люминесценции и оже-рекомбинация в широкозонных полупроводниковых соединениях нитридов
Authors: Кононенко, В. К.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2014
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Abstract: В работе рассмотрено изменение квантового выхода люминесценции в квантоворазмерных гетероструктурах на основе GaInN GaN и GaN AlGaN. Для этих систем установлена основная причина падения квантового выхода люминесценции из-за оже-рекомбинации (ОР), и с учетом безызлучательной рекомбинации оценен коэффициент ОР для широкозонных полупроводниковых материалов. В соединениях с шириной запрещенной зоны выше 2.0 эВ вероятность ОР остается практически постоянной. Природа установленной закономерности до сих пор не выяснена.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/108427
ISBN: 978-985-553-234-8
Sponsorship: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Appears in Collections:2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
p.194-197.pdf282,92 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.